金屬有機物化學氣相淀積（簡稱MOCVD）是技術生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與V族的氫化物（如NH3、PH3、AsH3）混合，通入反應室，在加熱的襯底表面發(fā)生反應，外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發(fā)光核心是一種稱為外延片（Epitaxial Slice）的復合材料，由于Mocvd技術在外延片上的成功運用，使得此種設備使用量迅速增加。
由于MOCVD設備工作時工作溫度高于2000℃，鎢鉬也是該設備發(fā)熱體等部分組件的優(yōu)選材料。
早期MOCVD設備發(fā)熱體由錸或鎢錸合金等材料制成，隨著此種設備的普及，出于降低成本要求，純鎢及鎢和一些稀土元素的合金材質(zhì)制成的發(fā)熱體逐步被用戶接受。